片式壓敏電阻器是通過使用流延工藝將電極層和半導(dǎo)體功能陶瓷層交錯燒結(jié)而成的半導(dǎo)體陶瓷元件。層棟電極與元器件的端面電極交錯，增大了對電極的有效面積，從而提高了元器件承受浪涌電壓的能力。片式壓敏電阻器是一種具有對稱伏安特性的壓敏電阻器。它的電阻隨外加電壓的增加而非線性減小。當(dāng)電壓在一定范圍之內(nèi)進(jìn)一步升高時，這種非線性響應(yīng)更加明顯。

片式壓敏電阻器是通過使用流延工藝將電極層和半導(dǎo)體功能陶瓷層交錯燒結(jié)而成的半導(dǎo)體陶瓷元件。層棟電極與元器件的端面電極交錯，增大了對電極的有效面積，從而提高了元器件承受浪涌電壓的能力，片式壓敏電阻的壓敏電壓，即浪涌響應(yīng)電壓，取決于兩個電極層間的厚度，與整個元器件的厚度無關(guān)。元件的流通能力主要由交錯層數(shù)決定，交錯層數(shù)隨著元件尺寸的增加而增加。

片式壓敏電阻器是一種具有對稱伏安特性的壓敏電阻器。它的電阻隨外加電壓的增加而非線性減小。當(dāng)電壓在一定范圍之內(nèi)進(jìn)一步升高時，這種非線性響應(yīng)更加明顯。直流工作電壓：在規(guī)定的環(huán)境條件之下，為保證片式電壓敏感電阻器正常工作而允許連續(xù)施加的最大直流電壓值，也作為測量泄漏電流的參考點，泄漏電流通常低于元器件的敏感電壓。

交流工作電壓：在規(guī)定的環(huán)境條件之下，允許連續(xù)施加的最大交流電壓值，以保證片式壓阻器正常工作。

最大浪涌電流（峰值電流Ip）是指在規(guī)定的脈沖波形（8/20us）和相應(yīng)的電壓之下，保證片式壓敏電阻器正常工作的最大電流。該脈沖可以從元件的任何一端施加。

最大浪涌能量（能量耐力Es）:在規(guī)定的脈沖波形（10/1000us）之下，最大脈沖能量保證片式壓敏電阻能正常工作。

漏電流（IL）：在非導(dǎo)電模式之下，元件具有非常高的阻抗（接近1.0E 9歐姆），并且在系統(tǒng)之中開路，此時泄漏電流非常低（室溫下<5uA）。齊納二極管不同，片式壓敏電阻具有低泄漏電流特性，在最高工作溫度之下，泄漏電流不超過50uA。