高溫條件下陶瓷電容擊穿原理
半密封陶瓷電容器在高濕度環(huán)境條件下工作時，發(fā)生擊穿失效是比較普遍的嚴重問題。所發(fā)生的擊穿現(xiàn)象大約可以分為介質(zhì)擊穿和表面極間飛弧擊穿兩類。
介質(zhì)擊穿按發(fā)生時間的早晚又可分為早期擊穿與老化擊穿兩種，早期擊穿暴露了電容介質(zhì)材料與生產(chǎn)工藝方面存在的缺陷。
這些缺陷導(dǎo)致陶瓷介質(zhì)介電強度顯著降低，以至于在高濕度環(huán)境的電場作用下，電容器在耐壓試驗過程中或工作初期，就產(chǎn)生電擊穿。
老化擊穿大多屬于電化學(xué)擊穿范疇。由于陶瓷電容器銀的遷移，陶瓷電容器的電解老化擊穿已成為相當(dāng)普遍的問題。
銀遷移形成的導(dǎo)電樹枝狀物，使漏電流局部增大，可引起熱擊穿，使電容器斷裂或燒毀。
熱擊穿現(xiàn)象多發(fā)生在管形或圓片形的小型瓷介質(zhì)電容器中，因為擊穿時局部發(fā)熱嚴重，較薄的管壁或較小的瓷體容易燒毀或斷裂。
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