多層陶瓷電容器的動態(tài)模型和演變的電路模擬
近年來，隨著電子設(shè)備信號高速化、元件數(shù)量增加以及高密度貼裝化，設(shè)計難度也在不斷增大。
設(shè)計人員為了降低試制成本，減少試制實驗次數(shù)，充分利用電路模擬技術(shù)，就必須要在短時間內(nèi)實現(xiàn)準確率較高的設(shè)計。
為了實現(xiàn)高精度的模擬，必須設(shè)定高精度元件樣品，特別是在高介電常數(shù)的條件下能夠顯示出溫度和DC偏置電壓的依存性。
動態(tài)模型適用于輸出電路的平滑電容器，為方便比較，結(jié)合使用傳統(tǒng)靜態(tài)模型（常溫、DV電壓0V）時的計算值進行展示。
因為在不同條件下，容量和ESR（EquivalentSeriesResistance，等價串聯(lián)阻抗，電容器阻抗值的實數(shù)成分）的變動也不可忽視。
在進行這樣的設(shè)計時，如果能有可以根據(jù)電路的操作條件動態(tài)反映其依存性的元件模型，將會大有幫助。
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