半導體材料是一種具有半導體特性的電子材料，用于制備半導體器件。重要的導電機理是由電子和空穴載流子實現(xiàn)的，因此存在N和P類型。通常具有一定的帶隙，其電性能容易受到外界條件的影響。通過添加特定的雜質制備不同的導電材料。雜質對材料的性能有很大的影響，大部分是晶體材料，半導體器件對材料的晶體完整性有很高的要求。

半導體材料是一種具有半導體特性的電子材料，用于制備半導體器件。重要的導電機理是由電子和空穴載流子實現(xiàn)的，因此存在N和P類型。半導體材料通常具有一定的帶隙，其電性能容易受到外界條件(如光、溫度等)的影響。通過添加特定的雜質制備不同的導電材料。雜質(特別是快速擴散雜質和深能級雜質)對材料的性能有很大的影響。

因此，半導體材料應具有較高的純度，這不僅要求用于生產的原料具有相當高的純度，而且還需要超清潔的生產環(huán)境，以盡量減少生產過程中的雜質污染。半導體材料大部分是晶體材料，半導體器件對材料的晶體完整性有很高的要求。此外，對材料各項電氣參數(shù)的均勻性也有嚴格的要求。

半導體材料是一種在室溫下導電介于導電材料和絕緣材料之間的功能材料，其電導率由電子和空穴載流子實現(xiàn)，室溫下的電阻一般在10-5~107歐姆之間，通常電阻隨溫度的升高而增 大，如果加入或輻照活 性雜質，電阻可改變幾個數(shù)量級。

此外，半導體材料的導電性對外界條件的變化(如熱、光、電、磁等因素)非常敏 感，根據(jù)這些條件，可以制造各種敏 感元件以進行信息轉換。

半導體材料的特征參數(shù)是帶隙、電阻、載流子遷移率、非平衡載流子壽命和位錯密度。帶隙由半導體的電子態(tài)和原子構型決定，它反映了組成材料的原子中價電子從束縛態(tài)激發(fā)到自 由態(tài)所需的能 量。電阻和載流子遷移率反映了材料的電導率。

非平衡載流子壽命反映了半導體材料在外界作用下(如光或電場)內載流子從非平衡態(tài)向平衡態(tài)轉變的弛豫特性。位錯是晶體中常見的缺 陷之一。位錯密度用來測量半導體單晶材料的晶格完整性程度，但對于非晶態(tài)半導體材料則不存在這種參數(shù)。

半導體材料的特性參數(shù)不僅可以反映半導體材料與其他非半導體材料的差異，而且可以反映不同半導體材料甚至同一材料在不同條件下的特性差異。