陶瓷電容器和高頻陶瓷介質(zhì)電容器是兩種較為相似的電容器。實(shí)際上，陶瓷電容器和高頻陶瓷介質(zhì)電容器是不同的。以下是小編對(duì)陶瓷電容器和高頻陶瓷介質(zhì)電容器的區(qū)別做的簡(jiǎn)要介紹。
陶瓷電容器
將高介電常數(shù)電容器陶瓷(鈦酸鋇-氧化鈦)擠壓成作為介質(zhì)的圓管、圓盤(pán)或圓盤(pán)，通過(guò)燒結(jié)滲透法在作為電極的陶瓷上鍍銀。它可分為高頻瓷介和低頻瓷介。
陶瓷電容器是具有小正電容溫度系數(shù)的電容器，在高穩(wěn)定振蕩電路中用作電路電容器和焊盤(pán)電容器。
高頻陶瓷電容器
適用于高頻電路的云母電容器。就結(jié)構(gòu)而言，它可分為箔式和銀式。鍍膜銀電極是通過(guò)真空蒸發(fā)法或燒結(jié)滲透法在云母片上直接鍍銀層形成的。由于消除了氣隙，溫度系數(shù)大大降低，電容穩(wěn)定性高于箔片。
頻率特性好，Q值高，溫度系數(shù)?。徊荒苤圃齑笕萘?；廣泛應(yīng)用于高頻電器，可作為標(biāo)準(zhǔn)電容器玻璃釉電容器。
高頻陶瓷介電電容器是通過(guò)噴涂一種濃度適合噴涂成薄膜的特殊混合物而形成的，該電介質(zhì)與銀層電極一起燒結(jié)形成“單片”結(jié)構(gòu)。
其性能可與云母電容器相媲美，可承受各種氣候環(huán)境，一般可在200或更高溫度下工作，額定工作電壓為500伏，損耗tgδ(介電損耗因數(shù))為0.0005-0.008。
低頻陶瓷電容限于在工作頻率較低的電路中，或在穩(wěn)定性和損耗要求不高(包括高頻)的情況下旁路或直流隔離。這種電容器不適合用于脈沖電路，因?yàn)樗鼈內(nèi)菀妆幻}沖電壓擊穿。
