陶瓷片式電容器具有良好的高頻特性，但最大電容只能為0.1 uF。片式陶瓷電容器也屬于陶瓷電容器，是一個(gè)統(tǒng)稱。陶瓷片式電容器是以陶瓷材料為介質(zhì)，在陶瓷表面鍍上一層金屬膜，然后經(jīng)高溫?zé)Y(jié)而成的電容器。在高穩(wěn)定的振蕩電路之中，正電容溫度系數(shù)小的電容器用作回路電容器和填充電容器。這種電容器不應(yīng)該用在脈沖電路之中，因?yàn)樗鼈兒苋菀妆幻}沖電壓刺穿。
整體電容器相對(duì)穩(wěn)定，溫度漂移系數(shù)小，電容值可達(dá)1uF，使用壽命長(zhǎng)，等效直流電阻小，價(jià)格稍貴。
陶瓷片式電容器具有良好的高頻特性，但最大電容只能為0.1 uF。片式陶瓷電容器也屬于陶瓷電容器，是一個(gè)統(tǒng)稱。陶瓷片式電容器是以陶瓷材料為介質(zhì)，在陶瓷表面鍍上一層金屬膜，然后經(jīng)高溫?zé)Y(jié)而成的電容器。常用于高穩(wěn)定性振蕩電路之中，作為電路、旁路電容器和焊盤(pán)電容器。在高穩(wěn)定的振蕩電路之中，正電容溫度系數(shù)小的電容器用作回路電容器和填充電容器。低頻陶瓷電容器僅在工作頻率較低的電路之中，或?qū)Ψ€(wěn)定性和損耗要求較低的電路（包括高頻）之中用作旁路或直流隔離。這種電容器不應(yīng)該用在脈沖電路之中，因?yàn)樗鼈兒苋菀妆幻}沖電壓刺穿。
陶瓷電容器是用高介電常數(shù)電容陶瓷（鈦酸鋇和氧化鈦），擠壓成圓管、盤(pán)狀或圓盤(pán)狀為介質(zhì)，用燒結(jié)熔滲法在陶瓷為電極之上鍍銀而成。它分為兩種：高頻瓷介和低頻瓷介。在高穩(wěn)定的振蕩電路之中，正電容溫度系數(shù)小的電容器用作回路電容器和填充電容器。低頻陶瓷電容器僅在工作頻率較低的電路之中，或?qū)Ψ€(wěn)定性和損耗要求較低的電路（包括高頻）之中用作旁路或直流隔離。這種電容器不應(yīng)該用在脈沖電路之中，因?yàn)樗鼈兒苋菀妆幻}沖電壓刺穿。
