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      首頁電子產(chǎn)品動態(tài) 從電參數(shù)來看,多層瓷介電容的失效模式主要有哪些

      從電參數(shù)來看,多層瓷介電容的失效模式主要有哪些

      2021年03月04日16:05 

      多層瓷介電容器的失效模式和失效機理眾多,按照電參數(shù)表現(xiàn)來看,失效模式可以分為三種:開路、短路和電參數(shù)漂移。

        多層瓷介電容器最為常見的失效模式為電參數(shù)漂移,包括電容量的變化、損耗的變化和絕緣電阻的變化,三個參數(shù)中最為敏感的電參數(shù)為損耗值和絕緣電阻值,在實際工作中,只要是表現(xiàn)出了失效,其損耗值或絕緣電阻值都或多或少出現(xiàn)不同程度的漂移,因此考察損耗值和絕緣電阻值對于評判多層瓷介電容器的失效狀態(tài)具有重要意義。

      電容

        多層瓷介電容器短路的失效模式較為常見,通常表現(xiàn)為兩個端電極間的電阻值明顯下降至歐姆或者毫歐姆的數(shù)量級,這種失效模式大多與最終的過電有關(guān)系。多層瓷介電容器出現(xiàn)開路的失效模式比較少見,主要有兩種情況,一種情況是經(jīng)歷了嚴(yán)重的過電后,致使內(nèi)部電極間或者端電極與內(nèi)電極間燒毀形成開路;另外一種情況是某種應(yīng)力致使端電極與內(nèi)電極間因為過應(yīng)力出現(xiàn)裂紋、開裂,導(dǎo)致電極間電連接不良形成開路,此種失效多數(shù)和樣品本身的質(zhì)量有關(guān)。

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